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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > UNR911FJ0L
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2151425UNR911FJ0L imagePanasonic

UNR911FJ0L

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Spécifications
  • Modèle de produit
    UNR911FJ0L
  • Fabricant / marque
    Panasonic
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    UNR911FJ0L.pdf
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Transistor Type
    PNP - Pre-Biased
  • Package composant fournisseur
    SSMini3-F1
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    10 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Puissance - Max
    125mW
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    SC-89, SOT-490
  • Autres noms
    UN911FJ-(TX)
    UN911FJTR
    UN911FJTR-ND
    UNR911FJ0LTR
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    80MHz
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 125mW Surface Mount SSMini3-F1
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    30 @ 5mA, 10V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    500nA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "UNR911FJ0L".
UNR9119J0L

UNR9119J0L

La description: TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3

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UNR91A0G0L

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UNR911TG0L

UNR911TG0L

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UNR911BJ0L

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UNR911AJ0L

UNR911AJ0L

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RFQ
UNR911HJ0L

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UNR911HG0L

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UNR911LJ0L

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UNR911TJ0L

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UNR911NJ0L

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UNR911BG0L

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UNR911DG0L

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UNR911LG0L

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UNR911FG0L

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UNR911MJ0L

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UNR911NG0L

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UNR911DJ0L

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UNR911EJ0L

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UNR911EG0L

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UNR911AG0L

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