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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > UNR921FJ0L
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UNR921FJ0L

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Spécifications
  • Modèle de produit
    UNR921FJ0L
  • Fabricant / marque
    Panasonic
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    UNR921FJ0L.pdf
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Transistor Type
    NPN - Pre-Biased
  • Package composant fournisseur
    SSMini3-F1
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    10 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Puissance - Max
    125mW
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    SC-89, SOT-490
  • Autres noms
    UN921FJ-(TX)
    UN921FJTR
    UN921FJTR-ND
    UNR921FJ0LTR
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    150MHz
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 125mW Surface Mount SSMini3-F1
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    30 @ 5mA, 10V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    500nA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA

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Expédition
Paiement
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UNR921BJ0L

UNR921BJ0L

La description: TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3

Fabricant: Panasonic
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UNR921AJ0L

UNR921AJ0L

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UNR921MJ0L

UNR921MJ0L

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UNR921FG0L

UNR921FG0L

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UNR921AG0L

UNR921AG0L

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RFQ
UNR921EJ0L

UNR921EJ0L

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RFQ
UNR921KG0L

UNR921KG0L

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RFQ
UNR921VJ0L

UNR921VJ0L

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UNR921DG0L

UNR921DG0L

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UNR921NJ0L

UNR921NJ0L

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UNR921KJ0L

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UNR921TJ0L

UNR921TJ0L

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UNR921NG0L

UNR921NG0L

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UNR921MG0L

UNR921MG0L

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UNR921LJ0L

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UNR921DJ0L

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UNR921BG0L

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UNR921TG0L

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UNR921CG0L

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UNR921CJ0L

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