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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > R1LV0108ESF-5SI#B0
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R1LV0108ESF-5SI#B0

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$5.253
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Spécifications
  • Modèle de produit
    R1LV0108ESF-5SI#B0
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    55ns
  • Tension - Alimentation
    2.7 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    SRAM
  • Package composant fournisseur
    32-TSOP (8x20)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    1Mb (128K x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    SRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SRAM Memory IC 1Mb (128K x 8) Parallel 55ns 32-TSOP (8x20)
  • Numéro de pièce de base
    R1LV0108E
  • Temps d'accès
    55ns
R1LV0108ESA-5SI#S1

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La description: IC SRAM 1M PARALLEL 32STSOP

Fabricant: Renesas Electronics America
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R1LV0108ESF-7SR#B0

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La description: IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP

Fabricant: Renesas Electronics America
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La description: IC SRAM 256KBIT 55NS 28SOP

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La description: IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP

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La description: IC SRAM 1MBIT 55NS 32SOP

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