BD139

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Spécifications

Modèle de produit

BD139
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

BD139.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

SOT-32-3
Séries

-
Puissance - Max

1.25W
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-225AA, TO-126-3
Autres noms

497-6656-5
BD139ST-ND
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

38 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1.5A 1.25W Through Hole SOT-32-3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)

1.5A
Numéro de pièce de base

BD139

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BD13910STU

La description:

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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