IRF620

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Spécifications

Modèle de produit

IRF620
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 200V 6A TO-220
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IRF620.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220AB
Séries

PowerMESH™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs

800 mOhm @ 3A, 10V
Dissipation de puissance (max)

70W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

497-3135
Température de fonctionnement

-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

200V
Description détaillée

N-Channel 200V 6A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

6A (Tc)

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IRF614STRR

La description: MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay

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