STD1HNC60T4

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Spécifications

Modèle de produit

STD1HNC60T4
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

STD1HNC60T4.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

DPAK
Séries

PowerMESH™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5 Ohm @ 1A, 10V
Dissipation de puissance (max)

50W (Tc)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

497-2485-1
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

228pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

15.5nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

N-Channel 600V 2A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

2A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "STD1HNC60T4".

STD18N55M5

La description: MOSFET N-CH 550V 13A DPAK

Fabricant: STMicroelectronics

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