STE110NS20FD

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Spécifications

Modèle de produit

STE110NS20FD
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STE110NS20FD.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

ISOTOP®
Séries

MESH OVERLAY™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

24 mOhm @ 50A, 10V
Dissipation de puissance (max)

500W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

ISOTOP
Autres noms

497-2657-5
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

7900pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

504nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

200V
Description détaillée

N-Channel 200V 110A (Tc) 500W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

110A (Tc)

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STE10000-10T4MI

La description: CAP TANT 10000UF 10V 20% AXIAL

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay

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