STFI10NK60Z

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Spécifications

Modèle de produit

STFI10NK60Z
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK FP
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STFI10NK60Z.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

I2PAKFP (TO-281)
Séries

SuperMESH™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

750 mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

35W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Autres noms

497-12855-5
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1370pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

N-Channel 600V 10A (Tc) 35W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

10A (Tc)

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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

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