STW9NK90Z

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Spécifications

Modèle de produit

STW9NK90Z
Fabricant / marque

STMicroelectronics
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 900V 8A TO-247
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

STW9NK90Z.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 100µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-247-3
Séries

SuperMESH™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.3 Ohm @ 3.6A, 10V
Dissipation de puissance (max)

160W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-247-3
Autres noms

497-2784-5
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

38 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2115pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

72nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

900V
Description détaillée

N-Channel 900V 8A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-247-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

8A (Tc)

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STWA12N120K5

La description: MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247-3

Fabricant: STMicroelectronics

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