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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > PMIC - sectionneurs de puissance de Distribution, > VND81013TR
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VND81013TR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    VND81013TR
  • Fabricant / marque
    STMicroelectronics
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRVR HISIDE 2CH 16-SOIC
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    VND81013TR.pdf
  • Tension - Alimentation (Vcc / Vdd)
    Not Required
  • Tension - Charge
    5.5 V ~ 36 V
  • Type de commutateur
    General Purpose
  • Package composant fournisseur
    16-SO
  • Séries
    VIPower™
  • Rds On (Typ)
    160 mOhm (Max)
  • Rapport - Entrée: Sortie
    1:1
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Le type de sortie
    N-Channel
  • Configuration de la sortie
    High Side
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Nombre de sorties
    2
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Interface
    On/Off
  • Type d'entrée
    Non-Inverting
  • Caractéristiques
    Auto Restart, Status Flag
  • Protection contre les pannes
    Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
  • Courant - Sortie (Max)
    3.5A
  • Numéro de pièce de base
    VND810

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024/09/27
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "VND81013TR".
VND7NV04

VND7NV04

La description: MOSFET N-CH 40V 6A DPAK

Fabricant: STMicroelectronics
En stock
RFQ
VND7NV04-1

VND7NV04-1

La description: MOSFET POWER 40V 6A IPAK

Fabricant: STMicroelectronics
En stock
RFQ
VND810PEP-E

VND810PEP-E

La description: IC DRIVER HI SIDE 2CH POWERSSO12

Fabricant: STMicroelectronics
En stock
RFQ
VND7NV04-1-E

VND7NV04-1-E

La description: MOSFET OMNIFETII 40V 6A IPAK

Fabricant: STMicroelectronics
En stock
RFQ
VND810MSP-E

VND810MSP-E

La description: IC DVR HIGH SIDE 2CH POWERSO10

Fabricant: STMicroelectronics
En stock
RFQ
VND810MSP

VND810MSP

La description: IC DRVR HISIDE 2CH POWERSO10

Fabricant: STMicroelectronics
En stock
RFQ
VND810MSPTR-E

VND810MSPTR-E

La description: IC DVR HIGH SIDE 2CH POWERSO10

Fabricant: STMicroelectronics
En stock
RFQ
VND7NV04TR-E

VND7NV04TR-E

La description: MOSFET POWER 40V 6A DPAK

Fabricant: STMicroelectronics
En stock
RFQ
VND810MSP13TR

VND810MSP13TR

La description: IC DRVR HISIDE 2CH POWERSO10

Fabricant: STMicroelectronics
En stock
RFQ
VND810SP

VND810SP

La description: IC DRIVER 2CH HI-SIDE POWERSO-10

Fabricant: STMicroelectronics
En stock
RFQ
VND7NV04-E

VND7NV04-E

La description: MOSFET N-CH 40V 6A TO252

Fabricant: STMicroelectronics
En stock
RFQ
VND810SP13TR

VND810SP13TR

La description: IC DRVR HISIDE 2CH POWERSO10

Fabricant: STMicroelectronics
En stock
RFQ
VND7N0413TR

VND7N0413TR

La description: MOSFET N-CH 40V 6A DPAK

Fabricant: STMicroelectronics
En stock
RFQ
VND810-E

VND810-E

La description: IC DRIVER HIGH SIDE 2CH 16-SOIC

Fabricant: STMicroelectronics
En stock
RFQ
VND7N04TR-E

VND7N04TR-E

La description: MOSFET OMNIFET 42V 7A DPAK

Fabricant: STMicroelectronics
En stock
RFQ
VND810

VND810

La description: IC DRVR HISIDE 2CH 16-SOIC

Fabricant: STMicroelectronics
En stock
RFQ
VND810PEPTR-E

VND810PEPTR-E

La description: IC DRIVER HI SIDE 2CH POWERSSO12

Fabricant: STMicroelectronics
En stock
RFQ
VND810PTR-E

VND810PTR-E

La description: IC DRIVER HIGH SIDE SW 16-SOIC

Fabricant: STMicroelectronics
En stock
RFQ
VND7NV0413TR

VND7NV0413TR

La description: MOSFET POWER 40V 6A DPAK

Fabricant: STMicroelectronics
En stock
RFQ
VND810SP-E

VND810SP-E

La description: IC DVR HI SIDE 2CH 3.5A PWRSO10

Fabricant: STMicroelectronics
En stock
RFQ
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