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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > 1N5406G A0G

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1N5406G A0G image

TSC (Taiwan Semiconductor)

1N5406G A0G

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Spécifications

Modèle de produit

1N5406G A0G
Fabricant / marque

Taiwan Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1N5406G A0G.pdf
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1V @ 3A
Tension - inverse (Vr) (max)

600V
Package composant fournisseur

DO-201AD
La vitesse

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Séries

-
Emballage

Tape & Box (TB)
Package / Boîte

DO-201AD, Axial
Autres noms

1N5406G A0GTB
1N5406G A0GTB-ND
1N5406GA0GTB
Température d'utilisation - Jonction

-55°C ~ 150°C
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

12 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 600V 3A Through Hole DO-201AD
Courant - fuite, inverse à Vr

5µA @ 600V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

3A
Capacité à Vr, F

25pF @ 4V, 1MHz

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Expédition

Paiement

Ce qui suit est des produits liés à "1N5406G A0G".

1N5406GP-TP

1N5406GP-TP

La description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricant: Micro Commercial Components (MCC)

En stock

1N5406-G

La description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricant: Comchip Technology

En stock

1N5406

La description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricant: Fairchild/ON Semiconductor

En stock

1N5406-E3/73

La description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay

En stock

1N5406-T

La description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricant: Diodes Incorporated

En stock

1N5406TA

La description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricant: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions

En stock

1N5406GHA0G

La description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)

En stock

1N5406-B

La description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricant: Diodes Incorporated

En stock

1N5406GHB0G

La description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)

En stock

1N5406-TP

La description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricant: Micro Commercial Components (MCC)

En stock

1N5406GHR0G

La description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)

En stock

1N5406G-T

La description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricant: Diodes Incorporated

En stock

1N5406RLG

La description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

En stock

1N5406G

La description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

En stock

1N5406-E3/51

La description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay

En stock

1N5406GP-E3/54

La description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay

En stock

1N5406T-G

La description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricant: Comchip Technology

En stock

1N5406RL

La description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

En stock

1N5406-E3/54

La description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay

En stock

1N5406

La description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricant: ON Semiconductor

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