1T2G A0G

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Spécifications

Modèle de produit

1T2G A0G
Fabricant / marque

Taiwan Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1T2G A0G.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.1V @ 1A
Tension - inverse (Vr) (max)

100V
Package composant fournisseur

TS-1
La vitesse

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Séries

-
Emballage

Tape & Box (TB)
Package / Boîte

T-18, Axial
Autres noms

1T2G A0G-ND
1T2GA0G
Température d'utilisation - Jonction

-55°C ~ 150°C
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

12 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 100V 1A Through Hole TS-1
Courant - fuite, inverse à Vr

5µA @ 100V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

1A
Capacité à Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "1T2G A0G".

VS-8EWH06FNTRHM3

La description: DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay

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