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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > ES3FHM6G
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3824219ES3FHM6G imageTSC (Taiwan Semiconductor)

ES3FHM6G

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Spécifications
  • Modèle de produit
    ES3FHM6G
  • Fabricant / marque
    Taiwan Semiconductor
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    ES3FHM6G.pdf
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1.3V @ 3A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    300V
  • Package composant fournisseur
    DO-214AB (SMC)
  • La vitesse
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Séries
    Automotive, AEC-Q101
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    35ns
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    DO-214AB, SMC
  • Température d'utilisation - Jonction
    -55°C ~ 150°C
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    40 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 300V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    10µA @ 300V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    3A
  • Capacité à Vr, F
    30pF @ 4V, 1MHz

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Expédition
Paiement
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ES3G-E3/9AT

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La description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
ES3G-M3/9AT

ES3G-M3/9AT

La description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
ES3FB R5G

ES3FB R5G

La description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
ES3G V7G

ES3G V7G

La description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RFQ
ES3FHE3/57T

ES3FHE3/57T

La description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
ES3F-M3/9AT

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La description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
ES3FBHM4G

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La description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
ES3F-M3/57T

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La description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
ES3GB M4G

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La description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
ES3FHE3_A/I

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La description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
ES3FB M4G

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La description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RFQ
ES3G V6G

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La description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RFQ
ES3FHE3_A/H

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La description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
ES3G-E3/57T

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La description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
ES3G M6G

ES3G M6G

La description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
ES3G-M3/57T

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La description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
ES3G R7G

ES3G R7G

La description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RFQ
ES3FBHR5G

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La description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RFQ
ES3FHR7G

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La description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RFQ
ES3FHE3/9AT

ES3FHE3/9AT

La description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
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