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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > RS1G M2G
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5301485RS1G M2G imageTSC (Taiwan Semiconductor)

RS1G M2G

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Spécifications
  • Modèle de produit
    RS1G M2G
  • Fabricant / marque
    Taiwan Semiconductor
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    RS1G M2G.pdf
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1.3V @ 1A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    400V
  • Package composant fournisseur
    DO-214AC (SMA)
  • La vitesse
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Séries
    -
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    150ns
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    DO-214AC, SMA
  • Autres noms
    RS1G M2G-ND
    RS1GM2G
  • Température d'utilisation - Jonction
    -55°C ~ 150°C
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    17 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 400V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    5µA @ 400V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    1A
  • Capacité à Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "RS1G M2G".
RS1E320GNTB

RS1E320GNTB

La description: MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RS1G-E3/5AT

RS1G-E3/5AT

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
RS1E200GNTB

RS1E200GNTB

La description: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RS1G

RS1G

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
RS1G-13

RS1G-13

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Fabricant: Diodes Incorporated
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RFQ
RS1E240GNTB

RS1E240GNTB

La description: MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RS1G-M3/5AT

RS1G-M3/5AT

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
RS1G/1

RS1G/1

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
RS1E280GNTB

RS1E280GNTB

La description: MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RS1G R3G

RS1G R3G

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS1G-13-F

RS1G-13-F

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
RS1G-M3/61T

RS1G-M3/61T

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
RS1G-E3/61T

RS1G-E3/61T

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
RS1E280BNTB

RS1E280BNTB

La description: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RS1E200BNTB

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La description: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RS1G150MNTB

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La description: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RS1E240BNTB

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La description: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RS1E350BNTB

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La description: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RS1G120MNTB

RS1G120MNTB

La description: MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RS1E300GNTB

RS1E300GNTB

La description: MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
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