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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > RS1GL R3G
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1373820RS1GL R3G imageTSC (Taiwan Semiconductor)

RS1GL R3G

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3600+
$0.07
5400+
$0.061
12600+
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45000+
$0.049
90000+
$0.046
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Spécifications
  • Modèle de produit
    RS1GL R3G
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1.3V @ 800mA
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    400V
  • Package composant fournisseur
    Sub SMA
  • La vitesse
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Séries
    -
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    150ns
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    DO-219AB
  • Autres noms
    RS1GL R3GTR
    RS1GL R3GTR-ND
    RS1GLR3GTR
  • Température d'utilisation - Jonction
    -55°C ~ 150°C
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    25 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 400V 800mA Surface Mount Sub SMA
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    5µA @ 400V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    800mA
  • Capacité à Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
RS1GL RVG

RS1GL RVG

La description: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RS1GL M2G

RS1GL M2G

La description: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RS1GL MTG

RS1GL MTG

La description: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RS1GHM2G

RS1GHM2G

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RS1GLHMQG

RS1GLHMQG

La description: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RS1GL MHG

RS1GL MHG

La description: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RS1GL RQG

RS1GL RQG

La description: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RS1GL RFG

RS1GL RFG

La description: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RS1GLHMHG

RS1GLHMHG

La description: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RS1GHE3_A/H

RS1GHE3_A/H

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RS1GL MQG

RS1GL MQG

La description: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RS1GLHMTG

RS1GLHMTG

La description: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RS1GL RUG

RS1GL RUG

La description: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RS1GHE3/5AT

RS1GHE3/5AT

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RS1GL RHG

RS1GL RHG

La description: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RS1GHE3_A/I

RS1GHE3_A/I

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RS1GHE3/61T

RS1GHE3/61T

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RS1GL RTG

RS1GL RTG

La description: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RS1GHR3G

RS1GHR3G

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RS1GLHM2G

RS1GLHM2G

La description: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
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