SFAS1008G MNG

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Spécifications

Modèle de produit

SFAS1008G MNG
Fabricant / marque

Taiwan Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 600V 10A TO263AB
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

SFAS1008G MNG.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.7V @ 10A
Tension - inverse (Vr) (max)

600V
Package composant fournisseur

TO-263AB (D²PAK)
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

35ns
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms

SFAS1008G MNG-ND
SFAS1008GMNG
Température d'utilisation - Jonction

-55°C ~ 150°C
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 600V 10A Surface Mount TO-263AB (D²PAK)
Courant - fuite, inverse à Vr

10µA @ 600V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

10A
Capacité à Vr, F

60pF @ 4V, 1MHz

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livraison
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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "SFAS1008G MNG".

SFAS802GHMNG

La description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)

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