SFS1003G MNG

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Spécifications

Modèle de produit

SFS1003G MNG
Fabricant / marque

Taiwan Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 150V 10A TO263AB
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

SFS1003G MNG.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

975mV @ 5A
Tension - inverse (Vr) (max)

150V
Package composant fournisseur

TO-263AB (D²PAK)
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

35ns
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms

SFS1003G MNG-ND
SFS1003GMNG
Température d'utilisation - Jonction

-55°C ~ 150°C
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 150V 10A Surface Mount TO-263AB (D²PAK)
Courant - fuite, inverse à Vr

1µA @ 150V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

10A
Capacité à Vr, F

70pF @ 4V, 1MHz

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SFS1008G MNG

La description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO263AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)

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