2SA1020-O,F(J

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Spécifications

Modèle de produit

2SA1020-O,F(J
Fabricant / marque

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS PNP 2A 50V TO226-3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

2SA1020-O,F(J.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 1A
Transistor Type

PNP
Package composant fournisseur

TO-92MOD
Séries

-
Puissance - Max

900mW
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Autres noms

2SA1020-OF(J
2SA1020OFJ
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

100MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 2A 100MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 500mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

1µA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)

2A

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2SA1020-Y(6MBH1,AF

La description: TRANS PNP 2A 50V TO226-3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

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