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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > RN1101ACT(TPL3)
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6593556RN1101ACT(TPL3) imageToshiba Semiconductor and Storage

RN1101ACT(TPL3)

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Spécifications
  • Modèle de produit
    RN1101ACT(TPL3)
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    150mV @ 500µA, 5mA
  • Transistor Type
    NPN - Pre-Biased
  • Package composant fournisseur
    CST3
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    4.7 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Puissance - Max
    100mW
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    SC-101, SOT-883
  • Autres noms
    RN1101ACT (TPL3)
    RN1101ACT(TPL3)TR
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    30 @ 10mA, 5V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    500nA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    80mA
RN1102CT(TPL3)

RN1102CT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN104PJ820CS

RN104PJ820CS

La description: RES ARRAY 4 RES 82 OHM 0804

Fabricant: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
En stock
RN104PJ472CS

RN104PJ472CS

La description: RES ARRAY 4 RES 4.7K OHM 0804

Fabricant: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
En stock
RN104PJ390CS

RN104PJ390CS

La description: RES ARRAY 4 RES 39 OHM 0804

Fabricant: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
En stock
RN1103,LF(CT

RN1103,LF(CT

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN1102MFV,L3F

RN1102MFV,L3F

La description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN1102T5LFT

RN1102T5LFT

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN104PJ7R5CS

RN104PJ7R5CS

La description: RES ARRAY 4 RES 7.5 OHM 0804

Fabricant: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
En stock
RN1102ACT(TPL3)

RN1102ACT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN1103ACT(TPL3)

RN1103ACT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN104PJ750CS

RN104PJ750CS

La description: RES ARRAY 4 RES 75 OHM 0804

Fabricant: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
En stock
RN1102,LF(CT

RN1102,LF(CT

La description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN104PJ360CS

RN104PJ360CS

La description: RES ARRAY 4 RES 36 OHM 0804

Fabricant: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
En stock
RN1101,LF(CT

RN1101,LF(CT

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN104PJ620CS

RN104PJ620CS

La description: RES ARRAY 4 RES 62 OHM 0804

Fabricant: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
En stock
RN104PJ3R0CS

RN104PJ3R0CS

La description: RES ARRAY 4 RES 3 OHM 0804

Fabricant: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
En stock
RN1103CT(TPL3)

RN1103CT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN1101CT(TPL3)

RN1101CT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN1101MFV,L3F

RN1101MFV,L3F

La description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN104PJ330CS

RN104PJ330CS

La description: RES ARRAY 4 RES 33 OHM 0804

Fabricant: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
En stock

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