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3520516RN2901(T5L,F,T) imageToshiba Semiconductor and Storage

RN2901(T5L,F,T)

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Spécifications
  • Modèle de produit
    RN2901(T5L,F,T)
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor Type
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Package composant fournisseur
    US6
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    4.7 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Puissance - Max
    200mW
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Autres noms
    RN2901(T5LFT)TR
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    200MHz
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    30 @ 10mA, 5V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    100nA (ICBO)
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA
RN2901FE(TE85L,F)

RN2901FE(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN2712JE(TE85L,F)

RN2712JE(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN2713JE(TE85L,F)

RN2713JE(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN2709JE(TE85L,F)

RN2709JE(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN2711(TE85L,F)

RN2711(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN2903-I/RM095

RN2903-I/RM095

La description: RF TXRX MODULE ISM<1GHZ SMA ANT

Fabricant: Micrel / Microchip Technology
En stock
RN2707JE(TE85L,F)

RN2707JE(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN2903A-I/RM098

RN2903A-I/RM098

La description: RF MODULE

Fabricant: Micrel / Microchip Technology
En stock
RN2902,LF(CT

RN2902,LF(CT

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN2711JE(TE85L,F)

RN2711JE(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN2902,LF

RN2902,LF

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN2708JE(TE85L,F)

RN2708JE(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN2902(T5L,F,T)

RN2902(T5L,F,T)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN2902FE(T5L,F,T)

RN2902FE(T5L,F,T)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2705JE(TE85L,F)

RN2705JE(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2710JE(TE85L,F)

RN2710JE(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2706JE(TE85L,F)

RN2706JE(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2903,LF(CT

RN2903,LF(CT

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2903,LF

RN2903,LF

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2902FE,LF(CT

RN2902FE,LF(CT

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W ES6

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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