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621653RN2961FE(TE85L,F) imageToshiba Semiconductor and Storage

RN2961FE(TE85L,F)

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Spécifications
  • Modèle de produit
    RN2961FE(TE85L,F)
  • Fabricant / marque
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    RN2961FE(TE85L,F).pdf
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor Type
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Package composant fournisseur
    ES6
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    4.7 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Puissance - Max
    100mW
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    SOT-563, SOT-666
  • Autres noms
    RN2961FE(TE85LF)TR
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    200MHz
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    30 @ 10mA, 5V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    100nA (ICBO)
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA

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RN2965(TE85L,F)

RN2965(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN2964FE(TE85L,F)

RN2964FE(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN2909FE(TE85L,F)

RN2909FE(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN2908FE(TE85L,F)

RN2908FE(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN2911FE(TE85L,F)

RN2911FE(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN2963(TE85L,F)

RN2963(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN2909(T5L,F,T)

RN2909(T5L,F,T)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN2910FE,LF(CB

RN2910FE,LF(CB

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN2967(TE85L,F)

RN2967(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN2963FE(TE85L,F)

RN2963FE(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

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RFQ
RN2962(TE85L,F)

RN2962(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN2911(T5L,F,T)

RN2911(T5L,F,T)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

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RFQ
RN2965FE(TE85L,F)

RN2965FE(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

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RN2908(T5L,F,T)

RN2908(T5L,F,T)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

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RN2911,LF

RN2911,LF

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

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RN2964(TE85L,F)

RN2964(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W US6

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RN2962FE(TE85L,F)

RN2962FE(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

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RN2961(TE85L,F)

RN2961(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

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RN2966FE(TE85L,F)

RN2966FE(TE85L,F)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

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RN2910(T5L,F,T)

RN2910(T5L,F,T)

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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