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3562810BYG10JHE3/TR imageVishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHE3/TR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    BYG10JHE3/TR
  • Fabricant / marque
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE AVALANCHE 600V 1.5A
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.BYG10JHE3/TR.pdf
    2.BYG10JHE3/TR.pdf
  • Tension - Inverse de crête (max)
    Avalanche
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1.5A
  • Tension - Ventilation
    DO-214AC (SMA)
  • Séries
    -
  • État RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Résistance @ Si, F
    -
  • Polarisation
    DO-214AC, SMA
  • Température d'utilisation - Jonction
    4µs
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    14 Weeks
  • Référence fabricant
    BYG10JHE3/TR
  • Description élargie
    Diode Avalanche 600V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Configuration diode
    1µA @ 600V
  • La description
    DIODE AVALANCHE 600V 1.5A
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    1.15V @ 1.5A
  • Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)
    600V
  • Capacité à Vr, F
    -55°C ~ 150°C

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BYG10GHM3/TR

BYG10GHM3/TR

La description: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division
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RFQ
BYG10JHM3/TR

BYG10JHM3/TR

La description: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division
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BYG10J-M3/TR3

BYG10J-M3/TR3

La description: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BYG10J-M3/TR

BYG10J-M3/TR

La description: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BYG10K-E3/TR

BYG10K-E3/TR

La description: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BYG10K-M3/TR

BYG10K-M3/TR

La description: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
BYG10JHE3/TR3

BYG10JHE3/TR3

La description: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division
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BYG10GHM3/TR3

BYG10GHM3/TR3

La description: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division
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BYG10J/TR

BYG10J/TR

La description: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BYG10JHM3_A/I

BYG10JHM3_A/I

La description: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BYG10K-E3/TR3

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BYG10GHE3_A/I

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La description: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

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BYG10J-E3/TR3

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La description: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

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BYG10JHM3_A/H

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BYG10GHM3_A/H

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La description: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

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BYG10JHE3_A/H

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BYG10JHM3/TR3

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La description: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

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BYG10JHE3_A/I

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La description: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214

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BYG10GHM3_A/I

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La description: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

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BYG10J-E3/TR

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