IRFIBF30GPBF

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Spécifications

Modèle de produit

IRFIBF30GPBF
Fabricant / marque

Vishay / Siliconix
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IRFIBF30GPBF.pdf
Modèle ECAD
Tension - Test

1200pF @ 25V
Tension - Ventilation

TO-220-3
Vgs (th) (Max) @ Id

3.7 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (Max)

10V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Séries

-
État RoHS

Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.9A (Tc)
Polarisation

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Autres noms

*IRFIBF30GPBF
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

11 Weeks
Référence fabricant

IRFIBF30GPBF
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

78nC @ 10V
type de IGBT

±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

4V @ 250µA
Fonction FET

N-Channel
Description élargie

N-Channel 900V 1.9A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3
Tension drain-source (Vdss)

-
La description

MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

900V
Ratio de capacité

35W (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IRFIBF30GPBF".

IRFIZ14G

La description: MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay

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