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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > W632GG8MB-11 TR
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3563276W632GG8MB-11 TR imageWinbond Electronics Corporation

W632GG8MB-11 TR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    W632GG8MB-11 TR
  • Fabricant / marque
    Winbond Electronics Corporation
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.W632GG8MB-11 TR.pdf
    2.W632GG8MB-11 TR.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    1.425 V ~ 1.575 V
  • La technologie
    SDRAM - DDR3
  • Package composant fournisseur
    78-VFBGA (10.5x8)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    78-VFBGA
  • Autres noms
    W632GG8MB-11 TR-ND
    W632GG8MB-11TR
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    2Gb (128M x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 933MHz 20ns 78-VFBGA (10.5x8)
  • Fréquence d'horloge
    933MHz
  • Temps d'accès
    20ns

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "W632GG8MB-11 TR".
W632GG8KB15I

W632GG8KB15I

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W632GG8KB-12 TR

W632GG8KB-12 TR

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W632GG8MB12I

W632GG8MB12I

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W632GU6AB-12

W632GU6AB-12

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W632GG8MB-12

W632GG8MB-12

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 78VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W632GG8MB-15 TR

W632GG8MB-15 TR

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W632GG8MB-12 TR

W632GG8MB-12 TR

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 78VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W632GG8MB12I TR

W632GG8MB12I TR

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W632GG8KB-12

W632GG8KB-12

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W632GG8MB-11

W632GG8MB-11

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W632GG8MB-09

W632GG8MB-09

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 1066MHZ

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W632GU6AB-11

W632GU6AB-11

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W632GG8KB12I

W632GG8KB12I

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W632GG8MB-15

W632GG8MB-15

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W632GG8KB-15 TR

W632GG8KB-15 TR

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W632GG8KB12I TR

W632GG8KB12I TR

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W632GG8MB15I

W632GG8MB15I

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W632GG8KB15I TR

W632GG8KB15I TR

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W632GG8MB15I TR

W632GG8MB15I TR

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W632GG8KB-15

W632GG8KB-15

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
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