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4556596W9464G6KH-5I imageWinbond Electronics Corporation

W9464G6KH-5I

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Spécifications
  • Modèle de produit
    W9464G6KH-5I
  • Fabricant / marque
    Winbond Electronics Corporation
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    W9464G6KH-5I.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    2.3 V ~ 2.7 V
  • La technologie
    SDRAM - DDR
  • Package composant fournisseur
    66-TSOP II
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    64Mb (4M x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - DDR Memory IC 64Mb (4M x 16) Parallel 200MHz 55ns 66-TSOP II
  • Fréquence d'horloge
    200MHz
  • Temps d'accès
    55ns

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W9464G6KH-4 TR

W9464G6KH-4 TR

La description: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W947D6HBHX5E

W947D6HBHX5E

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W9464G6JH-5I

W9464G6JH-5I

La description: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W9464G6JH-4

W9464G6JH-4

La description: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W947D2HBJX5I

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La description: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W9464G6KH-5 TR

W9464G6KH-5 TR

La description: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W9464G6JH-5

W9464G6JH-5

La description: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W947D2HBJX6E TR

W947D2HBJX6E TR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W9464G6KH-4

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La description: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W947D6HBHX5I

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La description: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W9425G6KH-5I

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La description: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W9425G6KH-5 TR

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La description: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W947D2HBJX6E

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La description: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W9464G6KH-5I TR

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Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W947D2HBJX5E TR

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La description: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

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W947D2HBJX5I TR

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La description: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W947D6HBHX5E TR

W947D6HBHX5E TR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W947D2HBJX5E

W947D2HBJX5E

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Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W9464G6KH-5

W9464G6KH-5

La description: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W9425G6KH-5I TR

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La description: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

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