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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > W971GG6SB-18 TR
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2731539W971GG6SB-18 TR imageWinbond Electronics Corporation

W971GG6SB-18 TR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    W971GG6SB-18 TR
  • Fabricant / marque
    Winbond Electronics Corporation
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    W971GG6SB-18 TR.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.9 V
  • La technologie
    SDRAM - DDR2
  • Package composant fournisseur
    84-WBGA (8x12.5)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    84-TFBGA
  • Autres noms
    W971GG6SB-18 TR-ND
    W971GG6SB-18TR
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    1Gb (64M x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 533MHz 350ps 84-WBGA (8x12.5)
  • Fréquence d'horloge
    533MHz
  • Temps d'accès
    350ps

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Expédition
Paiement
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W971GG8KB25I TR

W971GG8KB25I TR

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W9712G6KB25I

W9712G6KB25I

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 84TFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W971GG6SB25I TR

W971GG6SB25I TR

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W971GG6KB25I TR

W971GG6KB25I TR

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W971GG8JB-25

W971GG8JB-25

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W971GG6SB-18

W971GG6SB-18

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W971GG6KB-25 TR

W971GG6KB-25 TR

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W971GG6KB25I

W971GG6KB25I

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W971GG8KB-25 TR

W971GG8KB-25 TR

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W971GG6KB-18

W971GG6KB-18

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W9712G6KB-25 TR

W9712G6KB-25 TR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 84TFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W971GG6KB-18 TR

W971GG6KB-18 TR

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W971GG8JB25I

W971GG8JB25I

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W971GG6SB-25 TR

W971GG6SB-25 TR

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W971GG6KB-25

W971GG6KB-25

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W971GG6SB25I

W971GG6SB25I

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W9712G6KB25I TR

W9712G6KB25I TR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 84TFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W971GG8KB25I

W971GG8KB25I

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W971GG8KB-25

W971GG8KB-25

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W971GG6SB-25

W971GG6SB-25

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
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