1N4935

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Spécifications

Modèle de produit

1N4935
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

1N4935.pdf
Modèle ECAD
Tension - Inverse de crête (max)

Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1A
Tension - Ventilation

DO-41
Séries

-
État RoHS

Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr)

Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F

-
Polarisation

DO-204AL, DO-41, Axial
Autres noms

1N4935OS
Température d'utilisation - Jonction

300ns
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Référence fabricant

1N4935
Description élargie

Diode Standard 200V 1A Through Hole DO-41
Configuration diode

5µA @ 200V
La description

DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
Courant - fuite, inverse à Vr

1.2V @ 1A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)

200V
Capacité à Vr, F

-65°C ~ 150°C

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "1N4935".

1N4934GPEHE3/54

La description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay

En stock

1N4935

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