1N4935G-T

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Spécifications

Modèle de produit

1N4935G-T
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1N4935G-T.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.2V @ 1A
Tension - inverse (Vr) (max)

200V
Package composant fournisseur

DO-41
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

200ns
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

DO-204AL, DO-41, Axial
Température d'utilisation - Jonction

-65°C ~ 150°C
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

8 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 200V 1A Through Hole DO-41
Courant - fuite, inverse à Vr

5µA @ 200V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

1A
Capacité à Vr, F

-
Numéro de pièce de base

1N4935

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1N4935-E3/54

La description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay

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