Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > 3LN01C-TB-E
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
44479683LN01C-TB-E imageAMI Semiconductor / ON Semiconductor

3LN01C-TB-E

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    3LN01C-TB-E
  • Fabricant / marque
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    3LN01C-TB-E.pdf
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    3-CP
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.7 Ohm @ 80mA, 4V
  • Dissipation de puissance (max)
    250mW (Ta)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Autres noms
    3LN01C-TB-E-ND
    3LN01C-TB-EOSTR
  • Température de fonctionnement
    150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    7pF @ 10V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    1.58nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    1.5V, 4V
  • Tension drain-source (Vdss)
    30V
  • Description détaillée
    N-Channel 30V 150mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount 3-CP
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    150mA (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip annonce 500 licenciements, avec des coûts de res...

2024/12/4

Quanta: La demande d'IA continue d'être forte, ave...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung réduit considérablement l'utilisation de la p...

2024/12/2

Vishay investira 51 millions de livres sterling dans le NWF...

2024/11/29

La menace tarifaire de Trump, Nvidia, les fournisseurs d...

2024/11/28

Intel recevra 7,86 milliards de dollars de subventions en v...

2024/11/27
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "3LN01C-TB-E".
3LN01S-K-TL-E

3LN01S-K-TL-E

La description: MOSFET N-CH 30V 0.15A

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
IPD320N20N3GBTMA1

IPD320N20N3GBTMA1

La description: MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
3LN01M-TL-E

3LN01M-TL-E

La description: MOSFET N-CH 30V 0.15A

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
STI100N10F7

STI100N10F7

La description: MOSFET

Fabricant: STMicroelectronics
En stock
RFQ
IRF7240PBF

IRF7240PBF

La description: MOSFET P-CH 40V 10.5A 8-SOIC

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
3LN01SS-TL-E

3LN01SS-TL-E

La description: MOSFET N-CH 30V 0.15A SSFP

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
TPCA8055-H,LQ(M

TPCA8055-H,LQ(M

La description: MOSFET N-CH 30V 56A 8SOP-ADV

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
DMP6050SPS-13

DMP6050SPS-13

La description: MOSFETP-CH 60VPOWERDI5060-8

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
IPB60R199CPATMA1

IPB60R199CPATMA1

La description: MOSFET N-CH 650V 16A TO-263

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
FK3906010L

FK3906010L

La description: MOSFET N-CH 60V 100MA SSMINI3

Fabricant: Panasonic
En stock
RFQ
FCPF190N65S3R0L

FCPF190N65S3R0L

La description: SUPERFET3 650V TO220F PKG

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
BUK9Y41-80E,115

BUK9Y41-80E,115

La description: MOSFET N-CH 80V 24A LFPAK

Fabricant: Nexperia
En stock
RFQ
CSD18511KTTT

CSD18511KTTT

La description: 40-V N-CHANNEL NEXFET POWER MOS

Fabricant: Luminary Micro / Texas Instruments
En stock
RFQ
DMN3020UTS-13

DMN3020UTS-13

La description: MOSFET N-CH 30V 15A 8-TSSOP

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
3LN01M-TL-H

3LN01M-TL-H

La description: MOSFET N-CH 30V 150MA MCP

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
3LN01SS-TL-H

3LN01SS-TL-H

La description: MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
SI4456DY-T1-E3

SI4456DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
3LN01S-TL-E

3LN01S-TL-E

La description: MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
SI8424DB-T1-E1

SI8424DB-T1-E1

La description: MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
3LN01C-TB-H

3LN01C-TB-H

La description: MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousNouvellesSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.