3LP01M-TL-E

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Spécifications

Modèle de produit

3LP01M-TL-E
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET P-CH 30V 0.1A
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

3LP01M-TL-E.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±10V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

3-MCP
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.4 Ohm @ 50mA, 4V
Dissipation de puissance (max)

150mW (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

SC-70, SOT-323
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

7.5pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

1.43nC @ 10V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

1.5V, 4V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

P-Channel 30V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount 3-MCP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

100mA (Ta)

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Ce qui suit est des produits liés à "3LP01M-TL-E".

IXTT50P085

La description: MOSFET P-CH 85V 50A TO-268

Fabricant: IXYS Corporation

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