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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - RF > 3SK263-5-TG-E
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66547343SK263-5-TG-E imageAMI Semiconductor / ON Semiconductor

3SK263-5-TG-E

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Spécifications
  • Modèle de produit
    3SK263-5-TG-E
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    FET RF 15V 200MHZ CP4
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Tension - Test
    6V
  • Tension - Nominale
    15V
  • Transistor Type
    N-Channel Dual Gate
  • Package composant fournisseur
    4-CP
  • Séries
    -
  • Alimentation - sortie
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-253-4, TO-253AA
  • Autres noms
    3SK263-5-TG-E-ND
    3SK263-5-TG-EOSTR
  • Noise Figure
    2.2dB
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gain
    21dB
  • La fréquence
    200MHz
  • Description détaillée
    RF Mosfet N-Channel Dual Gate 6V 10mA 200MHz 21dB 4-CP
  • Note actuelle
    30mA
  • Courant - Test
    10mA
CLF1G0035S-100PU

CLF1G0035S-100PU

La description: RF FET HEMT 150V 14DB SOT1228B

Fabricant: Ampleon
En stock
3SK294(TE85L,F)

3SK294(TE85L,F)

La description: FET RF 12.5V 500MHZ USQ

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
BLF6G05LS-200RN,11

BLF6G05LS-200RN,11

La description: RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B

Fabricant: Ampleon
En stock
3SK293(TE85L,F)

3SK293(TE85L,F)

La description: FET RF 12.5V 800MHZ USQ

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
PXAC241702FC-V1-R250

PXAC241702FC-V1-R250

La description: IC AMP RF LDMOS

Fabricant: Cree Wolfspeed
En stock
PXAC201602FC-V1-R0

PXAC201602FC-V1-R0

La description: IC AMP RF LDMOS H-37248-4

Fabricant: Cree Wolfspeed
En stock
BG3130RE6327BTSA1

BG3130RE6327BTSA1

La description: MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
PTRA094808NF-V1-R5

PTRA094808NF-V1-R5

La description: IC RF LDMOS FET 6HBSOF

Fabricant: Cree Wolfspeed
En stock
BLF246B,112

BLF246B,112

La description: RF FET 2 NC 65V 19DB SOT161A

Fabricant: Ampleon
En stock
NE55410GR-AZ

NE55410GR-AZ

La description: FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP

Fabricant: CEL (California Eastern Laboratories)
En stock
3SK264-5-TG-E

3SK264-5-TG-E

La description: FET RF 15V 200MHZ CP4

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
ON5407,135

ON5407,135

La description: MOSFET RF SOT223 SC-73

Fabricant: NXP Semiconductors / Freescale
En stock
STAC2942B

STAC2942B

La description: TRANS RF PWR N-CH 350W STAC244B

Fabricant: STMicroelectronics
En stock
BLF6H10L-300P

BLF6H10L-300P

La description: RF FET

Fabricant: Ampleon
En stock
3SK292(TE85R,F)

3SK292(TE85R,F)

La description: MOSFET N-CH 12.5 30MA SMQ

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
PTRA083818NF-V1-R5

PTRA083818NF-V1-R5

La description: IC RF LDMOS FET 6HBSOF

Fabricant: Cree Wolfspeed
En stock
BLA6G1011LS-200RG,

BLA6G1011LS-200RG,

La description: RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502C

Fabricant: Ampleon
En stock
PXFC212551SCV1R250XTMA1

PXFC212551SCV1R250XTMA1

La description: IC AMP RF LDMOS

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
ARF445

ARF445

La description: PWR MOSFET RF N-CH 900V TO-247AD

Fabricant: Microsemi
En stock
3SK291(TE85L,F)

3SK291(TE85L,F)

La description: MOSFET N-CH SMQ

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock

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