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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > BD535J
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BD535J

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Spécifications
  • Modèle de produit
    BD535J
  • Fabricant / marque
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS NPN 60V 8A TO-220
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.BD535J.pdf
    2.BD535J.pdf
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    60V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    800mV @ 200mA, 2A
  • Transistor Type
    NPN
  • Package composant fournisseur
    TO-220
  • Séries
    -
  • Puissance - Max
    50W
  • Emballage
    Bulk
  • Package / Boîte
    TO-220-3
  • Température de fonctionnement
    150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    12MHz
  • Description détaillée
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 8A 12MHz 50W Through Hole TO-220
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    30 @ 2A, 2V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    100µA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    8A
  • Numéro de pièce de base
    BD535

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Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
BD537J

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La description: TRANS NPN 80V 8A TO-220

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Fabricant: LAPIS Semiconductor
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Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
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Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
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La description: TRANS NPN 80V 8A TO-220

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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BD537KTU

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Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
BD536

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Fabricant: STMicroelectronics
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RFQ
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