BU406G

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Spécifications

Modèle de produit

BU406G
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

BU406G.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

200V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1V @ 500mA, 5A
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

TO-220AB
Séries

-
Puissance - Max

60W
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

BU406GOS
Température de fonctionnement

-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

2 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

10MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 200V 7A 10MHz 60W Through Hole TO-220AB
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

5mA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

7A
Numéro de pièce de base

BU406

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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "BU406G".

BU406

La description: TRANS NPN 200V 7A TO-220

Fabricant: STMicroelectronics

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