BU407

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Spécifications

Modèle de produit

BU407
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.BU407.pdf
2.BU407.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

150V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1V @ 500mA, 5A
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

TO-220-3
Séries

-
Puissance - Max

60W
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-220-3
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

10MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 7A 10MHz 60W Through Hole TO-220-3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

5mA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

7A

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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

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BU4070B

La description: IC GATE XOR 4CH 2-INP 14DIP

Fabricant: LAPIS Semiconductor

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