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1077284EMC4DXV5T1G imageAMI Semiconductor / ON Semiconductor

EMC4DXV5T1G

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Spécifications
  • Modèle de produit
    EMC4DXV5T1G
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT553
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Transistor Type
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Package composant fournisseur
    SOT-553
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    47 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    47 kOhms, 10 kOhms
  • Puissance - Max
    500mW
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    SOT-553
  • Autres noms
    EMC4DXV5T1GOS
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    -
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-553
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    500nA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA
  • Numéro de pièce de base
    MC4
EMC50DRAI

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EMC49DRYN-S734

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EMC50DRAH-S734

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EMC50DRAS

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EMC49DRYS-S93

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EMC50DRAN-S734

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EMC50DREF

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EMC50DRAS-S734

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EMC49DTEN

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EMC49DTEH

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EMC50DRAN

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EMC49DTES

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EMC50DREF-S13

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EMC50DRAH

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EMC50DRAI-S734

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EMC49DRYS-S734

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EMC49DRYN-S93

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EMC49DRYS

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EMC49DTEF

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EMC49DTEI

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