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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > FCP190N65F
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2867875FCP190N65F imageAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCP190N65F

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Spécifications
  • Modèle de produit
    FCP190N65F
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 2mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-220-3
  • Séries
    FRFET®, SuperFET® II
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    190 mOhm @ 10A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    208W (Tc)
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-220-3
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    3225pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    78nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    650V
  • Description détaillée
    N-Channel 650V 20.6A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    20.6A (Tc)
FCP1913H473J

FCP1913H473J

La description: CAP FILM 0.047UF 5% 50VDC 1913

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
En stock
FCP190N60

FCP190N60

La description: MOSFET N-CH 600V TO220-3

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
FCP170N60

FCP170N60

La description: MOSFET N-CH 600V 22A TO220

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
FCP1913H104G-E2

FCP1913H104G-E2

La description: CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
En stock
FCP1913H104G

FCP1913H104G

La description: CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
En stock
FCP165N60E

FCP165N60E

La description: MOSFET N-CH 600V 23A TO220

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
FCP165N65S3

FCP165N65S3

La description: SF3 650V 165MOHM E TO220

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
FCP190N65S3

FCP190N65S3

La description: MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
FCP190N60-GF102

FCP190N60-GF102

La description: MOSFET N-CH 600V TO-220-3

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
FCP1913H104J-E3

FCP1913H104J-E3

La description: CAP FILM 0.1UF 5% 50VDC 1913

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
En stock
FCP1913H473G-E1

FCP1913H473G-E1

La description: CAP FILM 0.047UF 2% 50VDC 1913

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
En stock
FCP1913H473G

FCP1913H473G

La description: CAP FILM 0.047UF 2% 50VDC 1913

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
En stock
FCP1913H104J-E2

FCP1913H104J-E2

La description: CAP FILM 0.1UF 5% 50VDC 1913

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
En stock
FCP16N60

FCP16N60

La description: MOSFET N-CH 600V 16A TO-220

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
FCP190N65S3R0

FCP190N65S3R0

La description: MOSFET N-CH 650V 190MOHM TO220 I

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FCP16N60N

FCP16N60N

La description: MOSFET N-CH 600V 16A TO-220-3

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FCP1913H104G-E3

FCP1913H104G-E3

La description: CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics
En stock
FCP190N60E

FCP190N60E

La description: MOSFET N-CH 600V TO220-3

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
FCP16N60N-F102

FCP16N60N-F102

La description: MOSFET N-CH 600V 16A TO220F

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FCP165N65S3R0

FCP165N65S3R0

La description: SUPERFET3 650V TO220 PKG

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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