FCP20N60

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Spécifications

Modèle de produit

FCP20N60
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

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La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.FCP20N60.pdf
2.FCP20N60.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220-3
Séries

SuperFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

190 mOhm @ 10A, 10V
Dissipation de puissance (max)

208W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

FCP20N60_NL
FCP20N60_NL-ND
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3080pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

98nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

N-Channel 600V 20A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

20A (Tc)

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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

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FCP1913H823G-E4

La description: CAP FILM 0.082UF 2% 50VDC 1913

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics

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