FCP220N80

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Spécifications

Modèle de produit

FCP220N80
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 800V 23A
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FCP220N80.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 2.3mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220
Séries

SuperFET® II
Rds On (Max) @ Id, Vgs

220 mOhm @ 11.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

278W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4560pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

105nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

800V
Description détaillée

N-Channel 800V 23A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

23A (Tc)

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FCP2416H124G-D1

La description: CAP FILM 0.12UF 2% 50VDC 2416

Fabricant: Cornell Dubilier Electronics

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