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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > FDA28N50
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5590858FDA28N50 imageAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDA28N50

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Spécifications
  • Modèle de produit
    FDA28N50
  • Fabricant / marque
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    FDA28N50.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-3PN
  • Séries
    UniFET™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    155 mOhm @ 14A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    310W (Tc)
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    9 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    5140pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    105nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    500V
  • Description détaillée
    N-Channel 500V 28A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-3PN
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    28A (Tc)

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "FDA28N50".
FDA4100LV

FDA4100LV

La description: IC AMP QUAD BRIDGE D HIQUAD-92

Fabricant: STMicroelectronics
En stock
RFQ
FDA24N50

FDA24N50

La description: MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
FDA50N50

FDA50N50

La description: MOSFET N-CH 500V 48A TO-3P

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
FDA4100LV-T

FDA4100LV-T

La description: IC AMP QUAD BRIDGE D HIQUAD-92

Fabricant: STMicroelectronics
En stock
RFQ
FDA33N25

FDA33N25

La description: MOSFET N-CH 250V 33A TO-3PN

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
FDA2712

FDA2712

La description: MOSFET N-CH 250V 64A TO-3PN

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
FDA24N50F

FDA24N50F

La description: MOSFET N-CH 500V 24A TO-3

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
FDA217STR

FDA217STR

La description: OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8SMD

Fabricant: IXYS Integrated Circuits Division
En stock
RFQ
FDA28N50F

FDA28N50F

La description: MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
FDA217S

FDA217S

La description: OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8SMD

Fabricant: IXYS Integrated Circuits Division
En stock
RFQ
FDA450LV-T

FDA450LV-T

La description: IC AMP QUAD BRIDGE D 100TQFP

Fabricant: STMicroelectronics
En stock
RFQ
FDA450LV

FDA450LV

La description: IC AMP QUAD BRIDGE D 100TQFP

Fabricant: STMicroelectronics
En stock
RFQ
FDA59N25

FDA59N25

La description: MOSFET N-CH 250V 59A TO-3P

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
FDA59N30

FDA59N30

La description: MOSFET N-CH 300V 59A TO-3P

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
FDA38N30

FDA38N30

La description: MOSFET N-CH 300V TO-3

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
FDA215

FDA215

La description: OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8DIP

Fabricant: IXYS Integrated Circuits Division
En stock
RFQ
FDA215STR

FDA215STR

La description: OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8SMD

Fabricant: IXYS Integrated Circuits Division
En stock
RFQ
FDA24N40F

FDA24N40F

La description: MOSFET N-CH 400V 23A TO-3PN

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
FDA217

FDA217

La description: OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8DIP

Fabricant: IXYS Integrated Circuits Division
En stock
RFQ
FDA215S

FDA215S

La description: OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8SMD

Fabricant: IXYS Integrated Circuits Division
En stock
RFQ
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