FDA28N50F

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Spécifications

Modèle de produit

FDA28N50F
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

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La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDA28N50F.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-3PN
Séries

UniFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

175 mOhm @ 14A, 10V
Dissipation de puissance (max)

310W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-3P-3, SC-65-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

6 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5387pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

105nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

500V
Description détaillée

N-Channel 500V 28A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-3PN
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

28A (Tc)

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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

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FDA450LV

La description: IC AMP QUAD BRIDGE D 100TQFP

Fabricant: STMicroelectronics

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