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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > FDB0260N1007L

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FDB0260N1007L image

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB0260N1007L

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Spécifications

Modèle de produit

FDB0260N1007L
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDB0260N1007L.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

D²PAK (TO-263)
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.6 mOhm @ 27A, 10V
Dissipation de puissance (max)

3.8W (Ta), 250W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Autres noms

FDB0260N1007LTR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

39 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

8545pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

118nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 200A (Tc) 3.8W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

200A (Tc)

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Expédition

Paiement

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FDB-S

La description: CONN PRESSURE BLOOK FOR SKT

Fabricant: Hirose

En stock

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