FDB28N30TM

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Spécifications

Modèle de produit

FDB28N30TM
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDB28N30TM.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

D²PAK
Séries

UniFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

129 mOhm @ 14A, 10V
Dissipation de puissance (max)

250W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms

FDB28N30TM-ND
FDB28N30TMTR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

27 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2250pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

300V
Description détaillée

N-Channel 300V 28A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D²PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

28A (Tc)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "FDB28N30TM".

FDB3682

La description: MOSFET N-CH 100V 6A TO-263AB

Fabricant: Fairchild/ON Semiconductor

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