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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > FDB3682

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4163364

Fairchild/ON Semiconductor

FDB3682

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Spécifications

Modèle de produit

FDB3682
Fabricant / marque

Fairchild (onsemi)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 100V 6A TO-263AB
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDB3682.pdf
Tension - Test

1250pF @ 25V
Tension - Ventilation

D²PAK (TO-263AB)
Vgs (th) (Max) @ Id

36 mOhm @ 32A, 10V
Vgs (Max)

6V, 10V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Séries

PowerTrench®
État RoHS

Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6A (Ta), 32A (Tc)
Polarisation

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms

FDB3682-ND
FDB3682FSTR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

12 Weeks
Référence fabricant

FDB3682
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

28nC @ 10V
type de IGBT

±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

4V @ 250µA
Fonction FET

N-Channel
Description élargie

N-Channel 100V 6A (Ta), 32A (Tc) 95W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Tension drain-source (Vdss)

-
La description

MOSFET N-CH 100V 6A TO-263AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

100V
Ratio de capacité

95W (Tc)

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Expédition

Paiement

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La description: MOSFET N-CH 100V 12A D2PAK

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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FDB42AN15A0-F085

FDB42AN15A0-F085

La description: MOSFET N-CH 150V 35A TO-263AB

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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