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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > FDB6021P

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3945130

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB6021P

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Spécifications

Modèle de produit

FDB6021P
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AB
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDB6021P.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-263AB
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

30 mOhm @ 14A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)

37W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement

-65°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1890pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 4.5V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

1.8V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)

20V
Description détaillée

P-Channel 20V 28A (Ta) 37W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

28A (Ta)

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Expédition

Paiement

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Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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FDB42AN15A0

La description: MOSFET N-CH 150V 35A TO-263AB

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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FDB42AN15A0-F085

FDB42AN15A0-F085

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FDB7030L_L86Z

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FDB7030L

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FDB6690S

La description: MOSFET N-CH 30V 42A TO-263AB

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FDB5690

La description: MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB

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FDB5800

La description: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK

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FDB390N15A

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FDB8132

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Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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La description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

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