Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

*Raison sociale
*Nom
*Titre

*Adresse électronique
*Numéro de téléphone

*Pays
*Fenêtre de contact
*Date de l'événement

*Message

Pour les visiteurs de Electronica 2024

Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.

Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > FDB8870

RFQs/Ordre (0)

Français

Français

5027712

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB8870

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock

800+

$1.022

Enquête en ligne

Spécifications

Modèle de produit

FDB8870
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 30V 23A TO-263AB
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDB8870.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-263AB
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.9 mOhm @ 35A, 10V
Dissipation de puissance (max)

160W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms

FDB8870-ND
FDB8870FSTR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

9 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5200pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

132nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 23A (Ta), 160A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

23A (Ta), 160A (Tc)

Nouvelles associées
livraison
Mode de paiement

Il est signalé que Kioxia recevra l'approbation de la ...

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

Amazon augmente les efforts pour créer des puces d'IA ...

Le bénéfice net du Q3 de Pegatron était de 4,296 milliar...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

La Corée du Sud prévoit de promulguer la loi sur la puce ...

Expédition

Paiement

Ce qui suit est des produits liés à "FDB8870".

FDB9403-F085

La description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

En stock

FDB86569-F085

La description: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

En stock

FDB8880

La description: MOSFET N-CH 30V 54A TO-263AB

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

En stock

FDB9403L-F085

La description: MOSFET N-CH 40V 110A

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

En stock

FDB86366-F085

La description: MOSFET N-CH 80V 110A TO263

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

En stock

FDB86363-F085

La description: MOSFET N-CH 80V 110A TO263

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

En stock

FDB8860-F085

La description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

En stock

FDB8870-F085

La description: MOSFET N-CH 30V 21A TO-263AB

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

En stock

FDB86360_SN00307

FDB86360_SN00307

La description: MOSFET N-CH 80V

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

En stock

FDB86563-F085

La description: MOSFET N-CH 60V 110A TO-263

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

En stock

FDB8896

La description: MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

En stock

FDB9403_SN00268

FDB9403_SN00268

La description: MOSFET N-CH 40V

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

En stock

FDB8896-F085

La description: MOSFET N-CH 30V 19A TO-263AB

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

En stock

FDB86566-F085

La description: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

En stock

FDB8878

La description: MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

En stock

FDB8874

La description: MOSFET N-CH 30V 121A TO-263AB

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

En stock

FDB8832

La description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

En stock

FDB8860

La description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

En stock

FDB8832-F085

La description: MOSFET N-CH 30V 34A D2PAK

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

En stock

FDB8876

La description: MOSFET N-CH 30V 71A D2PAK

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

En stock

En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.

Suivez-nous

termes et conditions Politique d'infraction Demander un devis À propos de nous Contactez-nous Site

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.