FDB8896

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Spécifications

Modèle de produit

FDB8896
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDB8896.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-263AB
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.7 mOhm @ 35A, 10V
Dissipation de puissance (max)

80W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms

FDB8896-ND
FDB8896TR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

12 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2525pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

67nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 19A (Ta), 93A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

19A (Ta), 93A (Tc)

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livraison
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FDB8896-F085

La description: MOSFET N-CH 30V 19A TO-263AB

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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