FDD2582

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Spécifications

Modèle de produit

FDD2582
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 150V 21A DPAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDD2582.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-252AA
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

66 mOhm @ 7A, 10V
Dissipation de puissance (max)

95W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

FDD2582-ND
FDD2582TR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

4 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1295pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

6V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

150V
Description détaillée

N-Channel 150V 3.7A (Ta), 21A (Tc) 95W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

3.7A (Ta), 21A (Tc)

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livraison
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FDD3510H

La description: MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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