FDD306P

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Spécifications

Modèle de produit

FDD306P
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

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La description

MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDD306P.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-252
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

28 mOhm @ 6.7A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)

52W (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

FDD306P-ND
FDD306PTR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

9 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1290pF @ 6V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 4.5V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

1.8V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)

12V
Description détaillée

P-Channel 12V 6.7A (Ta) 52W (Ta) Surface Mount TO-252
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

6.7A (Ta)

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livraison
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FDD3682

La description: MOSFET N-CH 100V 32A D-PAK

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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