FDD8451

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Spécifications

Modèle de produit

FDD8451
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 40V 9A DPAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDD8451.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

D-PAK (TO-252)
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

24 mOhm @ 9A, 10V
Dissipation de puissance (max)

30W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

FDD8451TR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

9 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

990pF @ 20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

40V
Description détaillée

N-Channel 40V 9A (Ta), 28A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

9A (Ta), 28A (Tc)

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livraison
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FDD8586

La description: MOSFET N-CH 20V 35A DPAK

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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