FDD86110

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Spécifications

Modèle de produit

FDD86110
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDD86110.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

D-PAK (TO-252)
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.2 mOhm @ 12.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

3.1W (Ta), 127W (Tc)
Emballage

Original-Reel®
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

FDD86110DKR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

30 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2265pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

6V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 12.5A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 127W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

12.5A (Ta), 50A (Tc)

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livraison
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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "FDD86110".

FDD86250

La description: MOSFET N-CH 150V 8A DPAK

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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